三方合作推進2D材料電晶體開發

近日艾司摩爾(ASML-US)在半導體先進製程領域取得關鍵進展。在 2026 年超大規模積體電路研討會上，比利時微電子研究中心攜手 ASML 與台積電，共同發表創新的 12 吋晶圓整合技術路徑，專注於開發基於 2D 材料的 n 型與 p 型場效電晶體。

本次合作的關鍵亮點包括：

• 創下全球首例達到 50 奈米閘極間距的微縮化電晶體
• 採用經過最佳化的單次圖形化 EUV 微影技術為成功關鍵
• 將 2D 材料電晶體從實驗室順利推進至晶圓廠階段

在技術突破的背景下，盤中市場資金展現高度關注，艾司摩爾股價一度大漲 5.12%，最高觸及 1897.20 美元，反映市場對高階微影設備需求的重視。

艾司摩爾(ASML-US)：近期個股表現

基本面亮點

艾司摩爾成立於 1984 年，總部位於荷蘭，為全球半導體製造光刻系統市場的領導廠商。公司的核心優勢在於提供下一代 EUV 光刻工具，協助晶片製造商持續突破 5 奈米以下製程節點的限制，主要客戶涵蓋台積電、三星與英特爾等國際半導體指標大廠。

近期股價變化

根據 2026 年 6 月 16 日的交易數據顯示，該日股價以 1872.01 美元開盤，盤中最高達 1881.16 美元，最低下探 1802.61 美元，終場收在 1803.89 美元。單日下跌 88.77 美元，跌幅為 4.69%，單日成交量為 1,797,560 股，成交量較前一交易日減少 23.15%。

總結

綜合觀察，ASML 在極紫外光微影技術的延伸應用，對推動次世代半導體材料發展具備實質意義。投資人後續可持續留意公司與主要晶圓代工廠的研發合作進度、新材料導入量產的時程，以及全球先進製程設備市場的需求變化，作為追蹤公司營運表現的參考。

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