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英特爾(INTC)於週二針對其晶圓代工業務發布最新進展，宣布旗下 18A-P 製程節點已如期進入風險生產階段。這項關鍵里程碑突顯了英特爾(INTC)在提升晶片製造能力方面的積極努力，並期望藉此吸引更多外部客戶的青睞。
效能與功耗顯著優化，新製程競爭力大增
透過結合電晶體、互連技術以及設計技術的共同最佳化，英特爾晶圓代工成功提升了 18A-P 製程的效能、功耗表現與設計效益。在超大型積體電路技術研討會上，英特爾(INTC)的工程師指出，與先前的 18A 製程相比，18A-P 在相同功耗下效能提升了 9%，或在相同效能下功耗降低了 18%，同時具備更優異的散熱特性與更大的設計彈性。
材料與設計雙管齊下，散熱能力大幅提升
此外，18A-P 製程導入了全新的雙接點、低電阻電晶體選項，使得在匹配電容的情況下，能夠提供更高的驅動電流與運作頻率。更重要的是，藉由材料與設計上的雙重創新，該製程的熱阻獲得了 20% 到 40% 的顯著改善，進一步強化了晶片在高負載運算下的穩定性。
